Performance Enhancement of Ag/HfO2 Metal Ion Threshold Switch Cross-Point Selectors

A metal ion threshold switch (MITS) based on an Ag/TiN/HfO 2 /Pt stack is experimentally demonstrated with improved endurance. The incorporation of a low-temperature atomic layer deposition (ALD) TiN layer as an efficient diffusion barrier enables optimum Ag infiltration during the electroforming st...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:

Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	IEEE electron device letters 2019-10, Vol.40 (10), p.1602-1605
Hauptverfasser:	Grisafe, Benjamin, Jerry, Matthew, Smith, Jeffrey A., Datta, Suman
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Schlagworte:	Atomic layer epitaxy conducting filament Delays diffusion barrier Diffusion barriers Diffusion layers Electrodes Electroforming Endurance Hafnium oxide ion diffusion ion relaxation Ions Linearity Metal ion threshold switch Metal ions metal work function Performance enhancement Platinum Selectors Silver Switches Threshold voltage Tin Work functions
Online-Zugang:	Volltext bestellen
Tags:	Tag hinzufügen Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!

Schreiben Sie den ersten Kommentar!