Formation and optoelectronic property of strain-relaxed Ge1−x−y Si x Sn y /Ge1−x Sn x /Ge1−x−y Si x Sn y double heterostructures on a boron-ion-implanted Ge(001) substrate

We have investigated the formation and optoelectronic properties of strain relaxed Ge1−x−y Si x Sn y /Ge1−x Sn x /Ge1−x−y Si x Sn y double heterostructures on ion-implanted Ge substrates. The strain relaxation of Ge1−x−y Si x Sn y and Ge1−x Sn x epitaxial layers was achieved using an ion-implanted G...

Ausführliche Beschreibung

Bibliographische Detailangaben

Veröffentlicht in:	Japanese Journal of Applied Physics 2019-08, Vol.58, p.SIIB23
Hauptverfasser:	Fukuda, Masahiro, Rainko, Denis, Sakashita, Mitsuo, Kurosawa, Masashi, Buca, Dan, Nakatsuka, Osamu, Zaima, Shigeaki
Format:	Artikel
Sprache:	eng ; jpn
Schlagworte:	Boron Epitaxial layers Germanium Heterostructures Optoelectronics Photoluminescence Silicon Strain relaxation Substrates Temperature dependence Tin
Online-Zugang:	Volltext
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