Surface improvement investigation of sol-gel SiO2 cladding for waveguide device passivation
The sol-gel method is a well-known process for SiO2 formation on top of a semiconductor-based waveguide. This method does not require expensive equipment or SiH4 gas. However, it may result in difficulty with wet-etching, which prevents proper current injection into the semiconductor layer. We have...
Gespeichert in:
Veröffentlicht in: | Japanese Journal of Applied Physics 2019-08, Vol.58 (SJ), p.SJJB04 |
---|---|
Hauptverfasser: | , , , , |
Format: | Artikel |
Sprache: | eng |
Schlagworte: | |
Online-Zugang: | Volltext |
Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
Schreiben Sie den ersten Kommentar!