Direct observation of an electrically degenerate interface layer in a GaN/sapphire heterostructure
An electrically degenerate layer deteriorates the optoelectric performance of a wide band gap semiconductor grown on an insulator substrate. This detrimental effect can be passively avoided by using a buffer layer to harbor various lattice defects. However, the longstanding scientific questions rega...
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Veröffentlicht in: | Nanoscale 2019-04, Vol.11 (17), p.8281-8292 |
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Format: | Artikel |
Sprache: | eng |
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