Direct observation of an electrically degenerate interface layer in a GaN/sapphire heterostructure

An electrically degenerate layer deteriorates the optoelectric performance of a wide band gap semiconductor grown on an insulator substrate. This detrimental effect can be passively avoided by using a buffer layer to harbor various lattice defects. However, the longstanding scientific questions rega...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:
Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:Nanoscale 2019-04, Vol.11 (17), p.8281-8292
Hauptverfasser: Kim, Young-Min, Lee, Sung Bo, Lee, Jaekwang, Oh, Sang Ho
Format: Artikel
Sprache:eng
Schlagworte:
Online-Zugang:Volltext
Tags: Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!