A Sensitivity Map-Based Approach to Profile Defects in MIM Capacitors From I – V , C – V , and G – V Measurements
We present a defect spectroscopy technique to profile the energy and spatial distribution of defects within a material stack from leakage current ( {J} - {V} ), capacitance ( {C} - {V} ), and conductance ( {G} - {V} ) measurements. The technique relies on the concept of sensitivity maps (SMs) that i...
Gespeichert in:
Veröffentlicht in: | IEEE transactions on electron devices 2019-04, Vol.66 (4), p.1892-1898 |
---|---|
Hauptverfasser: | , , , , , , , , , , , |
Format: | Artikel |
Sprache: | eng |
Schlagworte: | |
Online-Zugang: | Volltext bestellen |
Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
Schreiben Sie den ersten Kommentar!