Homoepitaxial HVPE GaN: A potential substrate for high performance devices

•Thick freestanding HVPE-GaN with very low dislocation density.•Biaxial stress free substrate for homoepitaxy growth.•Probing uniform areal and volumetric distribution of pervasive impurities.•Identification of intrinsic pervasive donor and acceptor impurities.•High free carrier mobility. We investi...

Ausführliche Beschreibung

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Journal of crystal growth 2018-10, Vol.500, p.104-110
Hauptverfasser:	Freitas, J.A., Culbertson, J.C., Mahadik, N.A., Tadjer, M.J., Wu, S., Raghothamachar, B., Dudley, M., Sochacki, T., Bockowski, M.
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Schlagworte:	A. Characterization A1. Impurities A1. X-Ray diffraction A2. Vapor phase epitaxy Atomic layer epitaxy Axial stress B1. Nitrides Chemical compounds Diffraction Electrical properties Gallium nitrides High performance systems Optical properties Photoluminescence Raman spectra Scattering Substrates Thick films
Online-Zugang:	Volltext
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