Luminescence of defects in the structural transformation of layered tin dichalcogenides

Layered tin sulfide semiconductors are both of fundamental interest and attractive for energy conversion applications. Sn sulfides crystallize in several stable bulk phases with different Sn:S ratios (SnS2, Sn2S3, and SnS), which can transform into phases with a lower sulfur concentration by introdu...

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Applied physics letters 2017-12, Vol.111 (26)
Hauptverfasser:	Sutter, P., Komsa, H.-P., Krasheninnikov, A. V., Huang, Y., Sutter, E.
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Schlagworte:	Applied physics Cathodoluminescence Chalcogenides Crystal defects Electron beams Electron irradiation Energy conversion Layered materials Luminescence Mathematical analysis Optoelectronics Semiconductors Sulfur Tin Tin disulfide Transformations Vacancies
Online-Zugang:	Volltext
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