Crystal Growth and Characterization of Doped CZT Crystals
Cd1-xZnxTe crystals with x in the range of 0.1-0.2 were grown by the high-pressure vertical Bridgman method from pre-synthesized CZT. Resistive graphite heaters were used to control the temperature profiles within the furnaces, and an argon overpressure was used to reduce the cadmium loss. The cryst...
Gespeichert in:
Veröffentlicht in: | arXiv.org 2001-07 |
---|---|
Hauptverfasser: | , , , , , |
Format: | Artikel |
Sprache: | eng |
Schlagworte: | |
Online-Zugang: | Volltext |
Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
Schreiben Sie den ersten Kommentar!