Crystal Growth and Characterization of Doped CZT Crystals

Cd1-xZnxTe crystals with x in the range of 0.1-0.2 were grown by the high-pressure vertical Bridgman method from pre-synthesized CZT. Resistive graphite heaters were used to control the temperature profiles within the furnaces, and an argon overpressure was used to reduce the cadmium loss. The cryst...

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Veröffentlicht in:arXiv.org 2001-07
Hauptverfasser: Kolesnikov, N N, Vesnovskii, S P, James, R B, Berzigiarova, N S, Alov, D L, Zvenigorodskii, A G
Format: Artikel
Sprache:eng
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Online-Zugang:Volltext
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