Excited states of neutral donor bound excitons in GaN
We investigate the excited states of a neutral donor bound exciton (D0X) in bulk GaN by means of high-resolution, polychromatic photoluminescence excitation (PLE) spectroscopy. The optically most prominent donor in our sample is silicon accompanied by only a minor contribution of oxygen—the key for...
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Veröffentlicht in: | Journal of applied physics 2018-06, Vol.123 (21) |
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Format: | Artikel |
Sprache: | eng |
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