Electron conduction within Landau level tails of medium-mobility GaAs / AlGaAs heterostructures

The temperature dependence of both components of the resistivity tensor \(\varrho_{xx}(T)\) and \(\varrho_{xy}(T)\) has been studied at T \(\geq\) 4.2 K within IQHE plateaux around filling factors \nu=2 and \nu=4 of medium- -mobility GaAs/AlGaAs heterostructures. In the middle of the mobility gap st...

Ausführliche Beschreibung

Bibliographische Detailangaben

Veröffentlicht in:	arXiv.org 1996-12
Hauptverfasser:	Svoboda, P, Nachtwei, G, Breitlow, C, Heide, S, Cukr, M
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Schlagworte:	Aluminum gallium arsenides Backscattering Direct current Electric fields Gallium arsenide Heterostructures Potential barriers Temperature dependence Tensors
Online-Zugang:	Volltext
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