Room-temperature bonding of single-crystal diamond and Si using Au/Au atomic diffusion bonding in atmospheric air
For developing a heat dissipation system for power devices, room-temperature bonding of a single-crystal diamond chip to a Si substrate was performed using the atomic diffusion bonding (ADB) method. The diamond chip was successfully bonded to the Si substrate using deposited Ti/Au (5/12 nm) intermed...
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Veröffentlicht in: | Microelectronic engineering 2018-08, Vol.195, p.68-73 |
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Format: | Artikel |
Sprache: | eng |
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Online-Zugang: | Volltext |
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