Room-temperature bonding of single-crystal diamond and Si using Au/Au atomic diffusion bonding in atmospheric air

For developing a heat dissipation system for power devices, room-temperature bonding of a single-crystal diamond chip to a Si substrate was performed using the atomic diffusion bonding (ADB) method. The diamond chip was successfully bonded to the Si substrate using deposited Ti/Au (5/12 nm) intermed...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:
Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:Microelectronic engineering 2018-08, Vol.195, p.68-73
Hauptverfasser: Matsumae, Takashi, Kurashima, Yuichi, Umezawa, Hitoshi, Mokuno, Yoshiaki, Takagi, Hideki
Format: Artikel
Sprache:eng
Schlagworte:
Online-Zugang:Volltext
Tags: Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!