Characterization of reactive ion etching-induced damage to n-GaN surfaces using schottky diodes

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Journal of electronic materials 1997-03, Vol.26 (3), p.266-271
Hauptverfasser:	Ping, A. T., Schmitz, A. C., Adesida, I., Khan, M. Asif, Chen, Q., Yang, J. W.
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
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