Characteristics of GaN Metal-Insulator-Semiconductor-Insulator-Metal Ultraviolet Photodiodes Using Al2O3, HfO2, and ZrO2 as Insulators

GaN-based metal-insulator-semiconductor- insulator-metal (MISIM) photodiodes using three kinds of high-k dielectrics (Al 2 O 3 , HfO 2 , and ZrO 2 ) were fabricated, and their electrical, photo response, and noise properties were characterized. The GaN MISIM photodiode using ZrO 2 showed the lowest...

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	IEEE sensors journal 2018-06, Vol.18 (11), p.4477-4481
Hauptverfasser:	Jeong-Hoon Seol, Gil-Ho Lee, Sung-Ho Hahm
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Schlagworte:	Aluminum oxide Al₂O Bias Dark current Dielectrics Gallium nitride Gallium nitrides GaN Hafnium compounds Hafnium oxide HfO Insulators MIS (semiconductors) MISIM Photodiodes Schottky electrode UV photodiode UV sensor Zirconium dioxide ZrO
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