Reduction of residual stress in AlN thin films synthesized by magnetron sputtering technique
We report the reduction in residual stress, the crystal structure, surface morphology and nano-mechanical properties of magnetron sputtered AlN thin films as a function of substrate temperature (Ts, 35–600 °C). The residual stress of these films are varying from tensile to compression with temperatu...
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Veröffentlicht in: | Materials chemistry and physics 2017-10, Vol.200, p.78-84 |
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Format: | Artikel |
Sprache: | eng |
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Online-Zugang: | Volltext |
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