Comparative study of Al2O3, HfO2, and HfAlOx for improved self‐compliance bipolar resistive switching

The comparison of resistive switching (RS) storage in the same device architecture is explored for atomic layer deposition (ALD) Al2O3, HfO2 and HfAlOx‐based resistive random access memory (ReRAM) devices. Among them, the deeper high‐ and low‐ resistance states, more uniform VSET‐VRES, persistent RO...

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Journal of the American Ceramic Society 2017-12, Vol.100 (12), p.5638-5648
Hauptverfasser:	Sokolov, Andrey S., Son, Seok Ki, Lim, Donghwan, Han, Hoon Hee, Jeon, Yu‐Rim, Lee, Jae Ho, Choi, Changhwan
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Schlagworte:	Aluminum oxide Atomic layer epitaxy dielectric materials/properties electrical properties Fatigue tests Hafnium oxide Memory devices Oxidation Oxygen content Random access memory Redox reactions semiconductors Switching Thermal stability thin Thin films
Online-Zugang:	Volltext
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