Integrating Poly-Silicon and InGaZnO Thin-Film Transistors for CMOS Inverters

The applications of a-InGaZnO thin-film transistors (TFTs) to logic circuits have been limited owing to the intrinsic n-channel operation. In this paper, we demonstrated a hybrid inverter constructed by p-channel low-temperature poly-silicon (LTPS) TFTs and n-channel amorphous-indium-gallium-zinc-ox...

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Veröffentlicht in:IEEE transactions on electron devices 2017-09, Vol.64 (9), p.3668-3671
Hauptverfasser: ChangDong Chen, Bo-Ru Yang, Chuan Liu, Xing-Yu Zhou, Yuan-Jun Hsu, Yuan-Chun Wu, Jang-Soon Lm, Po-Yen Lu, Man Wong, Hoi-Sing Kwok, Shieh, Han-Ping D.
Format: Artikel
Sprache:eng
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