Interlayer current near the edge of an InAs/GaSb double quantum well in proximity with a superconductor

We investigate charge transport through the junction between a niobium superconductor and the edge of a two-dimensional electron-hole bilayer, realized in an InAs/GaSb double quantum well. For the transparent interface with a superconductor, we demonstrate that the junction resistance is determined...

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:JETP letters 2017-04, Vol.105 (8), p.508-513
Hauptverfasser: Kononov, A., Egorov, S. V., Titova, N., Semyagin, B. R., Preobrazhenskii, V. V., Putyato, M. A., Emelyanov, E. A., Deviatov, E. V.
Format: Artikel
Sprache:eng
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