Selective epitaxial growth properties and strain characterization of Si1−x Ge x in SiO2 trench arrays

In this study, we investigated the formation of a Si1−xGex fin structure in SiO2 trench arrays via an ultra-high-vacuum chemical-vapor deposition (UHV-CVD) selective epitaxial growth (SEG) process. Defect generation and microstructures of Si1−xGex fin structures with different Ge concentrations (x =...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:

Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Journal of the Korean Physical Society 2017-04, Vol.70 (7), p.714-719
Hauptverfasser:	Koo, Sangmo, Jang, Hyunchul, Ko, Dae-Hong
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Schlagworte:	Arrays Chemical vapor deposition Epitaxial growth Silicon dioxide Silicon germanides Strain analysis Surface energy Trenches
Online-Zugang:	Volltext
Tags:	Tag hinzufügen Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!

Schreiben Sie den ersten Kommentar!