Real-time stress detection of monocrystalline silicon by laser irradiation using Mach–Zehnder interferometry
The effect of changes in laser-induced stress upon irradiation of monocrystalline silicon was studied in detail using Mach–Zehnder interferometer, high speed camera and computer processing system, real-time detection of stress distribution and stress evolvement under different laser fluences and pul...
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Veröffentlicht in: | Pramāṇa 2016-12, Vol.87 (6), p.1-10, Article 98 |
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Format: | Artikel |
Sprache: | eng |
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Online-Zugang: | Volltext |
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