Structural and electrical properties of the Al/p-Cu^sub 2^ZnSnS^sub 4^ thin film schottky diode

In order to calculate the Schottky barrier parameters and to explain the resulting effects, the conduction mechanisms in a Schottky barrier should be known. In the present study, we investigated the structural and electrical properties of Al/p-Cu2ZnSnS4 (CZTS)/Mo thin film Schottky junction. Structu...

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Journal of materials science. Materials in electronics 2017-04, Vol.28 (7), p.5315
Hauptverfasser:	Touati, R, Trabelsi, I, Rabeh, M Ben, Kanzari, M
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
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