Tunneling-Magnetoresistance Ratio Comparison of MgO-Based Perpendicular-Magnetic-Tunneling-Junction Spin Valve Between Top and Bottom CO2Fe^sub 6^B^sub 2^ Free Layer Structure

For the perpendicular-magnetic-tunneling-junction (p-MTJ) spin valve with a nanoscale-thick bottom CO2Fe6B2 free layer ex situ annealed at 400 °C, which has been used as a common p-MTJ structure, the Pt atoms of the Pt buffer layer diffused into the MgO tunneling barrier. This transformed the MgO tu...

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Nanoscale research letters 2016-09, Vol.11 (1), p.1
Hauptverfasser:	Lee, Du-yeong, Lee, Seung-eun, Shim, Tae-hun, Park, Jea-gun
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
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