Sequential Lateral Solidification of Silicon Thin Films on Cu BEOL-Integrated Wafers for Monolithic 3-D Integration

We demonstrate that wafers integrated with copper (Cu) Damascene interconnects are suitable substrates for the excimer laser crystallization of silicon thin films. This approach allows for the monolithic 3-D integration of transistors on the back end of line (BEOL) of silicon wafers for VLSI monolit...

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:IEEE transactions on electron devices 2015-11, Vol.62 (11), p.3887-3891
Hauptverfasser: Carta, Fabio, Gates, Stephen M., Limanov, Alexander B., Im, James S., Edelstein, Daniel C., Kymissis, Ioannis
Format: Artikel
Sprache:eng
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