Sequential Lateral Solidification of Silicon Thin Films on Cu BEOL-Integrated Wafers for Monolithic 3-D Integration
We demonstrate that wafers integrated with copper (Cu) Damascene interconnects are suitable substrates for the excimer laser crystallization of silicon thin films. This approach allows for the monolithic 3-D integration of transistors on the back end of line (BEOL) of silicon wafers for VLSI monolit...
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Veröffentlicht in: | IEEE transactions on electron devices 2015-11, Vol.62 (11), p.3887-3891 |
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Format: | Artikel |
Sprache: | eng |
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