Strain-Induced Modulation of Electron Mobility in Single-Layer Transition Metal Dichalcogenides MX2 ( M = , W; X = , Se)
In this paper, the effect of biaxial strain on the mobility of single-layer transition metal dichalcogenides (MoS 2 , MoSe 2 , WS 2 , and WSe 2 ) is investigated by accounting for the scattering from intrinsic phonon modes, remote phonons, and charged impurities. Ab initio simulations are employed t...
Gespeichert in:
Veröffentlicht in: | IEEE transactions on electron devices 2015-10, Vol.62 (10), p.3192-3198 |
---|---|
Hauptverfasser: | , , , |
Format: | Artikel |
Sprache: | eng |
Schlagworte: | |
Online-Zugang: | Volltext bestellen |
Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
Schreiben Sie den ersten Kommentar!