Strain-Induced Modulation of Electron Mobility in Single-Layer Transition Metal Dichalcogenides MX2 ( M = , W; X = , Se)

In this paper, the effect of biaxial strain on the mobility of single-layer transition metal dichalcogenides (MoS 2 , MoSe 2 , WS 2 , and WSe 2 ) is investigated by accounting for the scattering from intrinsic phonon modes, remote phonons, and charged impurities. Ab initio simulations are employed t...

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Veröffentlicht in:IEEE transactions on electron devices 2015-10, Vol.62 (10), p.3192-3198
Hauptverfasser: Hosseini, Manouchehr, Elahi, Mohammad, Pourfath, Mahdi, Esseni, David
Format: Artikel
Sprache:eng
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