Al x Ga1- x N Ultraviolet Avalanche Photodiodes With Avalanche Gain Greater Than [Formula Omitted]

Ultraviolet (UV) avalanche photodiodes (APDs) based on Al x Ga1- x N wide-bandgap semiconductor alloys ([Formula Omitted]) are reported. The epitaxial structure was grown by metalorganic chemical vapor deposition on a GaN substrate having a low dislocation density. Step graded n-type Si-doped Al x G...

Ausführliche Beschreibung

Bibliographische Detailangaben

Veröffentlicht in:	IEEE photonics technology letters 2015-03, Vol.27 (6), p.642
Hauptverfasser:	Kim, Jeomoh, Ji, Mi-Hee, Detchprohm, Theeradetch, Ryou, Jae-Hyun, Dupuis, Russell D, Sood, Ashok K, Dhar, Nibir K
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
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