SiGe p-n-p HBTs With 265-GHz f max, 175-GHz f T, and 3.65-ps Gate Delay

SiGe p-n-p heterojunction bipolar transistors (HBTs) are presented with f T /f max values of 175 GHz/265 GHz and a minimum current mode logic ring oscillator gate delay of 3.65 ps. The devices are fabricated in an experimental p-n-p 0.25-μm BiCMOS process environment adopting the transistor design o...

Ausführliche Beschreibung

Bibliographische Detailangaben

Veröffentlicht in:	IEEE electron device letters 2014-08, Vol.35 (8), p.814-816
Hauptverfasser:	Heinemann, Bernd, Rucker, Holger, Barth, Rainer, Drews, Jurgen, Fursenko, Oksana, Grabolla, Thomas, Kurps, Rainer, Marschmeyer, Steffen, Scheit, Alexander, Schmidt, Detlef, Trusch, Andreas, Wolansky, Dirk, Yamamoto, Yuji
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Schlagworte:	BiCMOS integrated circuits Delays Epitaxial growth Heterojunction bipolar transistors Heterojunction bipolar transistors (HBTs) high-speed devices Logic gates ring oscillators Silicon germanium silicon-germanium (SiGe)
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