$Carrier transport mechanism of AlGaN/GaN Schottky barrier diodes with various Al mole fractions$

Carrier transport mechanism of AlGaN/GaN Schottky barrier diodes with various Al mole fractions

The evolution of the dominant carrier transport mechanism of Alx Ga1‐xN/GaN Schottky barrier diodes with increasing Al mole fraction x (x = 0.2, 0.3, 0.4, and 0.5) is investigated. The Schottky barrier height (SBH) linearly increases with the work function of Schottky metal with the slope factor of...

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Physica status solidi. C 2012-03, Vol.9 (3-4), p.851-854
Hauptverfasser:	Ha, Woo Jin, Chhajed, Sameer, Chavan, Ashonita, Lee, Jae-Hoon, Kim, Ki-Se, Kim, Jong Kyu
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Schlagworte:	Al mole fraction AlGaN/GaN heterostructures reverse leakage current Schottky barrier height
Online-Zugang:	Volltext
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