Growth and stacking fault reduction in semi-polar GaN films on planar Si(112) and Si(113)

We report on metal organic vapor phase epitaxy of semi‐polar growth of nearly (1$ \bar 1 $06) oriented GaN films on Si(112) and (1$ \bar 1 $05) and (1$ \bar 1 $04) GaN on Si(113). We analyze the GaN crystallites by field emission‐scanning electron microscopy (FE‐SEM), scanning transmission electron...

Ausführliche Beschreibung

Bibliographische Detailangaben

Veröffentlicht in:	Physica status solidi. C 2012-03, Vol.9 (3-4), p.507-510
Hauptverfasser:	Ravash, Roghaiyeh, Veit, Peter, Müller, Mathias, Schmidt, Gordon, Dempewolf, Anja, Hempel, Thomas, Bläsing, Jürgen, Bertram, Frank, Dadgar, Armin, Christen, Jürgen, Krost, Alois
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Schlagworte:	basal plane stacking faults (BSFs) MOVPE semi-polar GaN silicon substrate
Online-Zugang:	Volltext
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