Through-Silicon-Via Capacitance Reduction Technique to Benefit 3-D IC Performance

Through-silicon via (TSV) constitutes a key component interconnecting adjacent dies vertically to form 3-D integrated circuits. In this letter, we propose a method to exploit the TSV C-V behavior in a p-silicon substrate to achieve minimum TSV capacitance during 3-D circuit operation. The nature of...

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:IEEE electron device letters 2010-06, Vol.31 (6), p.549-551
Hauptverfasser: Katti, Guruprasad, Stucchi, Michele, Van Olmen, Jan, De Meyer, Kristin, Dehaene, Wim
Format: Artikel
Sprache:eng
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