A Novel Bottom Spacer FinFET Structure for Improved Short-Channel, Power-Delay, and Thermal Performance
For the first time, we propose a novel bottom spacer fin-shaped field-effect-transistor (FinFET) structure for logic applications suitable for system-on-chip (SoC) requirements. The proposed device achieved improved short-channel, power-delay, and self-heating performance compared with standard sili...
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Veröffentlicht in: | IEEE transactions on electron devices 2010-06, Vol.57 (6), p.1287-1294 |
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Hauptverfasser: | , , , |
Format: | Artikel |
Sprache: | eng |
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