Investigation of a SiGe HBT during ESD stress in a 0.18-[micro]m SiGe BiCMOS process

Bibliographische Detailangaben

Veröffentlicht in:	IEEE electron device letters 2003-03, Vol.24 (3), p.168
Hauptverfasser:	Chen, Shiao-Shien, Chen, Tung-Yang, Tang, Tien-Hao, Huang, Shao-Chang, Hsu, T.-L, Tseng, Hua-Chou, Chen, Jen-Kon, Chou, Chiu-Hsiang
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
Tags:	Tag hinzufügen Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!