Investigation of Hot Carrier–induced Degradation in Nanoscale Junctionless MOSFETs: A Reliability‐based Analysis

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Bibliographische Detailangaben
Format:	Buchkapitel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
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Beschreibung
Zusammenfassung:
DOI:	10.1002/9783527824229.ch4