Amorphous silicon produced by ion implantation. Etching rate in HF solution and effect of annealing

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Journal of the Electrochemical Society 1984, Vol.131 (3), p.672-674
Hauptverfasser:	LIOU, L, SPITZER, W. G, PRUSSIN, S
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Schlagworte:	Condensed matter: structure, mechanical and thermal properties Defects and impurities in crystals microstructure Doping and impurity implantation in iii-v and ii-vi semiconductors Exact sciences and technology Physics Structure of solids and liquids crystallography
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