Measurement of the band gap of GexSi1-x/Si strained-layer heterostructures

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Applied physics letters 1985-01, Vol.47 (12), p.1333-1335
Hauptverfasser:	LANG, D. V, PEOPLE, R, BEAN, J. C, SERGENT, A. M
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Schlagworte:	Applied sciences Electronics Exact sciences and technology Interfaces Semiconductor electronics. Microelectronics. Optoelectronics. Solid state devices
Online-Zugang:	Volltext
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