SiO2 thin film prepared from Si3H8 and O2 by photo-CVD using double excitation

Gespeichert in:

Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Japanese journal of applied physics 1987, Vol.26 (6), p.L908-L910
Hauptverfasser:	OKUYAMA, M, FUJIKI, N, INOUE, K, HAMAKAWA, Y
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Schlagworte:	Chemical vapor deposition (including plasma-enhanced cvd, mocvd, etc.) Cross-disciplinary physics: materials science rheology Exact sciences and technology Materials science Methods of deposition of films and coatings film growth and epitaxy Physics
Online-Zugang:	Volltext
Tags:	Tag hinzufügen Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!

Schreiben Sie den ersten Kommentar!