Galvanomagnetic Properties of p-Hg1−xCdxTe

A three‐level model for one divalent acceptor (Hg vacancy) and one monovalent acceptor (foreign atom) is suggested. The hole mobility is determined for p‐like wave functions (polar phonons and ionized impurities). Low temperature (10 to 300 K) galvanomagnetic measurements of undoped p‐Hg1−xCdxTe (x ≈ 0.2) are reported. A simultaneous analysis of the hole concentration and Hall mobility data in the region 10 to 100 K and Hall coefficient and conductivity data in the region 100 to 300 K yield ionization energies of ≈ 6 meV and ≈ 0.7 Eg (energy gap) for the Hg vacancy and ≈ 12 meV for the foreign acceptor. In the temperature region 100 to 300 K the mobility of electrons is determined, too. Es wird ein Drei‐Niveau‐Modell für einen divalenten Akzeptor (Hg‐Leerstelle) und einen monovalenten Akzeptor (Fremdatom) vorgeschlagen. Die Löcherbeweglichkeit wird für p‐Wellenfunktionen (polare Phononen und ionisierte Störstellen) bestimmt. Galvanomagnetische Messungen bei tiefen Temperaturen (10 bis 300 K) von undotiertem p‐Hg1−xCdxTe (x ≈ 0,2) werden mitgeteilt. Eine gleichzeitige Analyse der Löcherkonzentrations‐ und Hallbeweglichkeitswerte im Bereich 10 bis 100 K und des Hallkoeffizienten und der Leitfähigkeitswerte im Bereich 100 bis 300 K ergibt Ionisierungsenergien von ≈ 6 meV und ≈ 0,7 Eg (Energielücke) für die Hg‐Leerstelle und ≈ 12 meV für den Fremdakzeptor. Im Temperaturbereich 100 bis 300 K wird die Beweglichkeit der Elektronen ebenfalls bestimmt.