$Enhanced annealing kinetics in ion-implanted InxAl1-xAs studied by x-ray diffractometry$

Enhanced annealing kinetics in ion-implanted InxAl1-xAs studied by x-ray diffractometry

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Applied physics letters 1991-05, Vol.58 (20), p.2267-2269
Hauptverfasser:	CLARKE, R, DOS PASSOS, W, YI-JEN CHAN, PAVLIDIS, D
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Schlagworte:	Condensed matter: electronic structure, electrical, magnetic, and optical properties Electronic transport in condensed matter Exact sciences and technology Physics
Online-Zugang:	Volltext
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