Low-temperature growth of the GexSi1-x/Si heterostructures on Si(100) by remote plasma-enhanced chemical vapor deposition

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Applied physics letters 1991-08, Vol.59 (7), p.817-819
Hauptverfasser:	KINOSKY, D, QIAN, R, IRBY, J, HSU, T, ANTHONY, B, BANERJEE, S, TASCH, A, MAGEE, C, GROVE, C. L
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Schlagworte:	Cross-disciplinary physics: materials science rheology Exact sciences and technology Materials science Methods of deposition of films and coatings film growth and epitaxy Physics
Online-Zugang:	Volltext
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