A double-recessed Al0.24GaAs/In0.16GaAs pseudomorphic HEMT for Ka- and Q-band power applications

Bibliographische Detailangaben

Veröffentlicht in:	IEEE electron device letters 1993, Vol.14 (9), p.456-458
Hauptverfasser:	HUANG, J. C, SALEDAS, P, BEDARD, C, ATWOOD, D, WENDLER, J, PLATZKER, A, BOULAIS, W, SHANFIELD, S, HOKE, W, LYMAN, P, AUCOIN, L, MIQUELARENA, A
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Schlagworte:	Applied sciences Electronics Exact sciences and technology Other multijunction devices. Power transistors. Thyristors Semiconductor electronics. Microelectronics. Optoelectronics. Solid state devices
Online-Zugang:	Volltext
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