Low temperature breakdown and current filamentation in n-type GaAs with homogeneous and partially ordered Si doping

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Semiconductor science and technology 1995-06, Vol.10 (6), p.775-784
Hauptverfasser:	Kostial, H, Asche, M, Hey, R, Ploog, K, Kehrer, B, Quade, W, Scholl, E
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Schlagworte:	Condensed matter: electronic structure, electrical, magnetic, and optical properties Conductivity phenomena in semiconductors and insulators Electronic transport in condensed matter Exact sciences and technology High-field and nonlinear effects Physics
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