Improvement of hot-electron hardness in metal-oxide-semiconductor devices by combination of gate electrode deposited using amorphous Si and gate oxide grown in N2O

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Japanese journal of applied physics 1996-08, Vol.35 (8A), p.L968-970
Hauptverfasser:	CHANG-LIAO, K.-S, LAN, T.-Y
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Schlagworte:	Applied sciences Electronics Exact sciences and technology Testing, measurement, noise and reliability
Online-Zugang:	Volltext
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