The new dry method of mask (relief) formation by direct electron-beam etching of resist

Bibliographische Detailangaben

Veröffentlicht in:	Microelectronic engineering 2013, Vol.112, p.1-4
Hauptverfasser:	BRUK, M. A, ZHIKHAREV, E. N, STRELTSOV, D. R, KALNOV, V. A, SPIRIN, A. V
Format:	Artikel
Sprache:	rus
Online-Zugang:	Volltext
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