A new theoretical model for the description of the degradation of silicon nitride films under high temperature annealing

Bibliographische Detailangaben

Hauptverfasser:	GADIYAK, G. V, GADIYAK, V. G, KOSINOVA, M. L, SALMAN, E. G
Format:	Tagungsbericht
Sprache:	rus
Online-Zugang:	Volltext
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