Effect of multiple-step annealing on the formation of semiconducting β-FeSi2 and metallic α-Fe2Si5 on Si (100) by ion beam synthesis
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Veröffentlicht in: | Japanese journal of applied physics 1997, Vol.36 (5A), p.2802-2812 |
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Format: | Artikel |
Sprache: | eng |
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Online-Zugang: | Volltext |
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