Effect of multiple-step annealing on the formation of semiconducting β-FeSi2 and metallic α-Fe2Si5 on Si (100) by ion beam synthesis

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:Japanese journal of applied physics 1997, Vol.36 (5A), p.2802-2812
Hauptverfasser: KATSUMATA, H, MAKITA, Y, KOBAYAHI, N, SHIBATA, H, HASEGAWA, M, UEKUSA, S.-I
Format: Artikel
Sprache:eng
Schlagworte:
Online-Zugang:Volltext
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Beschreibung
Zusammenfassung:
ISSN:0021-4922
1347-4065
DOI:10.1143/jjap.36.2802