Interface-State Modeling of Al2O3―InGaAs MOS From Depletion to Inversion

Bibliographische Detailangaben

Veröffentlicht in:	IEEE transactions on electron devices 2012-09, Vol.59 (9), p.2383-2389
Hauptverfasser:	CHEN, Han-Ping, YU YUAN, BO YU, AHN, Jaesoo, MCINTYRE, Paul C, ASBECK, Peter M, RODWELL, Mark J. W, TAUR, Yuan
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Schlagworte:	Applied sciences Dielectric, amorphous and glass solid devices Electronics Exact sciences and technology Semiconductor electronics. Microelectronics. Optoelectronics. Solid state devices
Online-Zugang:	Volltext
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