Suppression of Current Collapse of High-Voltage AlGaN/GaN HFETs on Si Substrates by Utilizing a Graded Field-Plate Structure : Heterostructure Microelectronics with TWHM 2011

Bibliographische Detailangaben

Veröffentlicht in:	IEICE transactions on electronics 2012, Vol.95 (8), p.1343-1347
Hauptverfasser:	DEGUCHI, Tadayoshi, TOMITA, Hideshi, KAMADA, Atsushi, ARAI, Manabu, YAMASAKI, Kimiyoshi, EGAWA, Takashi
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Schlagworte:	Applied sciences Electronics Exact sciences and technology Semiconductor electronics. Microelectronics. Optoelectronics. Solid state devices Transistors
Online-Zugang:	Volltext
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