Analysis of Electron Mobility in Inversion-Mode Al2O3/InxGa1-xAs MOSFETs

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	IEEE transactions on electron devices 2011-07, Vol.58 (7), p.1972-1978
Hauptverfasser:	WEIKE WANG, HWANG, James C. M, YI XUAN, YE, Peide D
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Schlagworte:	Applied sciences Electronics Exact sciences and technology Semiconductor electronics. Microelectronics. Optoelectronics. Solid state devices Transistors
Online-Zugang:	Volltext
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