Growth and coalescence behavior of semipolar (1122) GaN on pre-structured r-plane sapphire substrates : Polarization-Field Control in Nitride Light Emitters

Bibliographische Detailangaben

Veröffentlicht in:	Physica status solidi. B. Basic research 2011, Vol.248 (3), p.588-593
Hauptverfasser:	SCHWAIGER, Stephan, METZNER, Sebastian, KROST, Alois, CHRISTEN, Jürgen, SCHOLZ, Ferdinand, WUNDERER, Thomas, ARGUT, Ilona, THALMAIR, Johannes, LIPSKI, Frank, WIENEKE, Matthias, BIASING, Jürgen, BERTRAM, Frank, ZWECK, Josef
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Schlagworte:	Cross-disciplinary physics: materials science rheology Exact sciences and technology Materials science Methods of deposition of films and coatings film growth and epitaxy Physics Vapor phase epitaxy growth from vapor phase
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