Comparative Study on Light-Induced Bias Stress Instability of IGZO Transistors With SiNx and Si02 Gate Dielectrics

Bibliographische Detailangaben

Veröffentlicht in:	IEEE electron device letters 2010, Vol.31 (12), p.1404-1406
Hauptverfasser:	KWANG HWAN JI, KIM, Ji-In, MO, Yeon-Gon, JONG HAN JEONG, YANG, Shinhyuk, HWANG, Chi-Sun, PARK, Sang-Hee Ko, RYU, Myung-Kwan, LEE, Sang-Yoon, JAE KYEONG JEONG
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Schlagworte:	Applied sciences Electronics Exact sciences and technology Semiconductor electronics. Microelectronics. Optoelectronics. Solid state devices Transistors
Online-Zugang:	Volltext
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