Hysteresis behaviour of low-voltage organic field-effect transistors employing high dielectric constant polymer gate dielectrics

Here, we report on the fabrication of low-voltage-operating pentacene-based organic field-effect transistors (OFETs) that utilize crosslinked cyanoethylated poly(vinyl alcohol) (CR-V) gate dielectrics. The crosslinked CR-V-based OFET could be operated successfully at low voltages (below 4 V), but ab...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:
Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:Journal of physics. D, Applied physics Applied physics, 2010-11, Vol.43 (46), p.465102
Hauptverfasser: Kim, Se Hyun, Yun, Won Min, Kwon, Oh-Kwan, Hong, Kipyo, Yang, Chanwoo, Choi, Woon-Seop, Park, Chan Eon
Format: Artikel
Sprache:eng
Schlagworte:
Online-Zugang:Volltext
Tags: Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!